单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。     

结球白菜在个体发育中苗端淀粉粒积累的变化

本文描述了结球白菜苗瑞细胞中淀粉粒的含量在个体发育过程中的变化规律,结果是: 结球白菜苗端在分化和形成叶原基的过程中,淀粉粒主要积累于肋状分生组织细胞中,且随苗端产生叶原基活动的加强而增多;随营养苗端向生殖苗端的转化,其淀粉粒的含量明显减少,转化完成后的生殖苗端细胞中,极少见到淀粉粒。由此可见,淀粉物质的积累和变化与叶原基的分化形成及白菜包心结球有着密切的关系。     

快速沉积的金刚石薄膜生长特性

本文研究了用直流电弧等离子体喷射法快速沉积的金刚石薄膜的生长特性,并与用热解CVD法沉积的金刚石薄膜生长特性做了比较。     

气相法同质外延金刚石单晶薄膜的研究

本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向，反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响，给出了获得比较理想单晶外延层的实验条件。     

山东郯城地区金刚石砂矿地质地貌特征

郯城金刚石砂矿属冲积层产状被破坏的阶地砂矿，金刚石产在残余二阶地冲积砂砾层中，金刚石颗粒大，宝石级金刚石较多，是宝石工业的重要原料基地。     

金刚石压机的单片机恒流控制

金刚石压力机其温度不易直接测量，控温较困难。本文从加热的原理出发，引入了单片机恒流控制，并给出了用单片机实现的具体步骤与方法。     

用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性

本文研究了用热解CVD方法合成的金刚石的结晶特性,并与用高温高压法合成的金刚石的结晶特性做了比较。     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。